GTインターナショナルJAPAN合同会社 SA111は、シリコンカーバイド（SiC）技術と最先端のパッケージ設計により、アナログモジュールの熱効率と電力密度の境界を広げます。
SA111は、20mm×20mmの表面実装パッケージで、32Aの連続出力電流、最大650Vの電源電圧、最大1MHzのスイッチング周波数（注）を実現しています。
また、熱効率の高いトップサイド ヒートシンクを採用しているため、基板レイアウトを最大限に活用することができます。 SA111のシリコンカーバイドMOSFETは、より高い熱ストレスに耐えることができ、最大175℃のジャンクション温度を管理することが可能です。
SA111 SiCパワー・モジュールは、ゲート・ドライバ、低電圧ロックアウト、およびアクティブ・ミラー・クランピングを内蔵し、 デバイスの制御と保護を強化する完全統合型ソリューションを提供します。（注）SOA範囲内